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華為李小龍揭秘EUV工藝:半導體領域重大突破

   2019-09-08 快科技
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核心提示:9月7日,華為手機產品線副總裁李小龍在微博科普了一番麒麟990 5G使用的EUV(極紫外線)光刻工藝。李小龍贊嘆

9月7日,華為手機產品線副總裁李小龍在微博科普了一番麒麟990 5G使用的EUV(極紫外線)光刻工藝。

李小龍贊嘆道:“這次發布的麒麟990 5G使用了EUV(極紫外線)光刻工藝,光刻設備的波長從之前的193納米縮短到了10幾納米,這在半導體領域是非常大的一個突破。正是基于這項技術,我們才能夠在約200mm2的面積下集成了103億顆晶體管,幾乎比上一代產品增加了一半。”

但EUV究竟是什么呢?李小龍推薦了一篇科普文章,感興趣的讀者可以前往圍觀,簡單來說,EUV是極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)的縮寫,常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。

麒麟990 5G采用了臺積電的7nm+ EUV工藝,此前有消息稱,蘋果的A13也已經鎖定臺積電7nm+。

此外臺積電還透露, 正穩步推進下一代5nm工藝,全面應用EUV技術,已經開始風險性試產,預計2020年第一季度量產。另外臺積電還有個過渡性質的6nm工藝,基于7nm改進而來,預計2020年第一季度試產,非常適合現有7nm工藝用戶直接升級。
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