美國南加州大學研究團隊開發出一種基于憶阻器的新型高精度模擬芯片架構，旨在結合數字計算的精度和模擬計算的節能和高速優勢。
憶阻器（memristor）是一種被動電子元件，如同電阻器能產生并維持一股安全的電流通過某個裝置。通過調整憶阻器參數，研究團隊實現了前所未有的調節精度，并設計出一種新的電路和架構，使得模擬設備的編程更加快速和精確。這種創新不僅適用于神經網絡等傳統低精度領域，還可擴展至其他存儲技術領域，如磁性存儲器和相變存儲器。這種技術創新不僅提高了模擬計算的效率和速度，還能為人工智能和機器學習等領域帶來更多應用可能性。相關研究成果發表于《科學》（Science）雜志。
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